নিরাকার সিলিকন সৌর কোষের প্রযুক্তিগত সুবিধা

(1) উপকরণ এবং উত্পাদন প্রক্রিয়া কম খরচ
প্রথমত, নিরাকার সিলিকন সৌর কোষ প্রচুর সিলিকন উপাদান সংরক্ষণ করতে পারে। নিরাকার সিলিকনের একটি উচ্চ আলোর শোষণ সহগ রয়েছে, বিশেষ করে {{0}} এর দৃশ্যমান আলো ব্যান্ডে৷ , তাই এটি একক স্ফটিক সিলিকনের চেয়ে সৌর বিকিরণের উচ্চ শোষণ দক্ষতা রয়েছে প্রায় 40 বার, একটি খুব পাতলা নিরাকার সিলিকন ফিল্ম দরকারী সৌর শক্তির 90% শোষণ করতে পারে। সাধারণত, নিরাকার সিলিকন সৌর কোষের পুরুত্ব 0.5um এর কম হয়, যেখানে স্ফটিক সিলিকন সৌর কোষের মৌলিক বেধ 240-270um হয়, যা 200 গুণেরও বেশি আলাদা। অতএব, নিরাকার সিলিকন সৌর কোষগুলিকে প্রচুর সিলিকন উপকরণ সংরক্ষণ করতে হবে। উপাদানটি উচ্চ-বিশুদ্ধতা পলিসিলিকন উত্পাদনে ব্যবহৃত সিলেন। এই গ্যাস রাসায়নিক শিল্পে প্রচুর পরিমাণে পাওয়া যায় এবং খুব সস্তা।
কম প্রতিক্রিয়া তাপমাত্রার কারণে, এটি প্রায় 200 ডিগ্রি তাপমাত্রায় তৈরি করা যেতে পারে। অতএব, পাতলা ফিল্মগুলি গ্লাস, স্টেইনলেস স্টিল প্লেট, সিরামিক প্লেট এবং নমনীয় প্লাস্টিকের শীটে জমা করা যেতে পারে, যা বড় এলাকায় এবং কম খরচে উত্পাদন করা সহজ। একটি একক নিরাকার সিলিকন থিন-ফিল্ম সোলার সেলের উৎপাদন খরচ বর্তমানে 1.2 ইউএস ডলার/ডব্লিউপি-তে হ্রাস করা যেতে পারে। স্তরিত নিরাকার সিলিকন পাতলা-ফিল্ম কোষের খরচ $1/Wp-এর নিচে কমানো যেতে পারে।
সংক্ষেপে, কাঁচামাল এবং উত্পাদন প্রক্রিয়া বিবেচনা করে, নিরাকার সিলিকনের উত্পাদন ব্যয় তুলনামূলকভাবে কম, এবং এটি নিরাকার সিলিকন সৌর কোষের সবচেয়ে বড় সুবিধা হয়ে উঠেছে।
(2) শর্ট এনার্জি রিটার্ন পিরিয়ড
যেহেতু নিরাকার সিলিকন কোষ তৈরির কাঁচামাল এবং নিম্ন-তাপমাত্রা উত্পাদন কম শক্তি খরচ করে, প্রতিটি পর্যায়ে, নিরাকার সিলিকন সৌর কোষগুলির উত্পাদন একরঙা সিলিকন সৌর কোষগুলির উত্পাদনের তুলনায় কম বিদ্যুৎ খরচ করে, তাই এর শক্তি ফেরত সময়কাল কম। 6% রূপান্তর দক্ষতা সহ নিরাকার সিলিকন সৌর কোষের উত্পাদন প্রতি ওয়াটে প্রায় 1.9 কিলোওয়াট-ঘণ্টা বিদ্যুৎ খরচ করে এবং বিদ্যুৎ উৎপাদনের পর ফেরত সময় প্রায় 1৷{6}} বছর, এবং শক্তি ফেরত সময়কাল কম . অন্যান্য পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন এবং মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন কোষগুলির পাওয়ার জেনারেশন রিটার্ন সময় সাধারণত 6 বছরের বেশি হয়।
(3) ভর উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত
নিরাকার সিলিকন উপাদান বাষ্প জমার মাধ্যমে গঠিত হয় এবং বর্তমানে যে পদ্ধতিটি ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হচ্ছে তা হল প্লাজমা-বর্ধিত রাসায়নিক বাষ্প জমা (PECVD) পদ্ধতি। এই উত্পাদন প্রক্রিয়াটি একাধিক ভ্যাকুয়াম ডিপোজিশন চেম্বারে অবিচ্ছিন্নভাবে সম্পন্ন করা যেতে পারে, যার ফলে ব্যাপক উত্পাদন উপলব্ধি করা যায়। গ্লাস সাবস্ট্রেটগুলি ব্যবহার করে নিরাকার সিলিকন সৌর কোষগুলির প্রধান প্রক্রিয়া (PECVD) টিএফটি-এলসিডি অ্যারেগুলির অনুরূপ, এবং উত্পাদন পদ্ধতিগুলি উচ্চ স্বয়ংক্রিয়তা এবং উচ্চ উত্পাদন দক্ষতা দ্বারা চিহ্নিত করা হয়।
(4) অনেক বৈচিত্র্য এবং ব্যাপক প্রয়োগ
স্ফটিক সিলিকন যেকোন আকৃতির সাবস্ট্রেটের উপর তৈরি করা যেতে পারে, এবং অতি-হালকা সৌর কোষগুলি নমনীয় স্তর বা পাতলা স্টেইনলেস স্টিল এবং প্লাস্টিকের স্তরগুলিতে প্রস্তুত করা যেতে পারে; নিরাকার সিলিকন সৌর কোষগুলিকে সমন্বিত প্রকারে তৈরি করা যেতে পারে, ডিভাইসের শক্তি, আউটপুট ভোল্টেজ এবং আউটপুট কারেন্ট অবাধে ডিজাইন এবং তৈরি করা যেতে পারে এবং বিভিন্ন প্রয়োজনের জন্য উপযুক্ত বিভিন্ন পণ্য আরও সুবিধাজনকভাবে তৈরি করা যেতে পারে। বিভিন্ন প্রয়োজনের জন্য উপযুক্ত বিভিন্ন পণ্য উত্পাদন করা আরও সুবিধাজনক। উচ্চ আলো শোষণ সহগ এবং কম অন্ধকার পরিবাহিতার কারণে, এটি অভ্যন্তরীণ ব্যবহারের জন্য কম-পাওয়ার পাওয়ার সাপ্লাই উৎপাদনের জন্য উপযুক্ত, যেমন ঘড়ির ব্যাটারি, ক্যালকুলেটর ব্যাটারি ইত্যাদি; a-Si ফিল্মের সিলিকন জাল কাঠামোর শক্তিশালী যান্ত্রিক বৈশিষ্ট্যের কারণে, এটি নমনীয় স্তরগুলিতে ব্যবহারের জন্য উপযুক্ত। মাটিতে হালকা-ওজন সোলার সেল তৈরি করা যায়; নমনীয় এবং বৈচিত্র্যময় উত্পাদন পদ্ধতি বিল্ডিং-ইন্টিগ্রেটেড ব্যাটারি তৈরি করতে পারে, যা ব্যবহারকারীদের ছাদে পাওয়ার স্টেশন স্থাপনের জন্য উপযুক্ত।
(5) ভাল উচ্চ তাপমাত্রা কর্মক্ষমতা
যখন সৌর কোষের অপারেটিং তাপমাত্রা 25 ডিগ্রি স্ট্যান্ডার্ড টেস্ট তাপমাত্রার চেয়ে বেশি হয়, তখন এর সর্বোত্তম আউটপুট শক্তি হ্রাস পাবে; নিরাকার সিলিকন সৌর কোষে তাপমাত্রার প্রভাব স্ফটিক সিলিকন সৌর কোষের তুলনায় অনেক কম।
(6) ভাল দুর্বল আলো প্রতিক্রিয়া এবং উচ্চ চার্জিং দক্ষতা
নিরাকার সিলিকন উপাদানের শোষণ সহগ দৃশ্যমান আলোর সম্পূর্ণ পরিসরে রয়েছে এবং এটি প্রকৃত ব্যবহারে কম আলো এবং শক্তিশালী আলোর সাথে আরও ভালভাবে অভিযোজিত।