গতকাল, নলেজ প্ল্যানেটের একজন শিক্ষার্থী জিজ্ঞাসা করেছিল যে বো, ওয়ার্প, টিটিভি ইত্যাদি সিলিকন ওয়েফার পৃষ্ঠের প্যারামিটারগুলি কী এবং কীভাবে তাদের আলাদা করা যায়। আমি মনে করি এই প্রশ্নটি বেশ প্রতিনিধিত্বমূলক, তাই আমি এটি ব্যাখ্যা করার জন্য একটি বিশেষ নিবন্ধ লিখেছিলাম।
ওয়েফার সারফেস প্যারামিটার বো, ওয়ার্প এবং টিটিভি খুবই গুরুত্বপূর্ণ বিষয় যা চিপ তৈরিতে অবশ্যই বিবেচনা করা উচিত। এই তিনটি পরামিতি একসাথে সিলিকন ওয়েফারের সমতলতা এবং বেধের অভিন্নতা প্রতিফলিত করে এবং চিপ উত্পাদন প্রক্রিয়ার অনেকগুলি মূল ধাপে সরাসরি প্রভাব ফেলে।
TTV, Bow, Warp কি?
TTV(টোটাল থিকনেস ভ্যারিয়েশন)
TTV হল একটি সিলিকন ওয়েফারের সর্বোচ্চ এবং সর্বনিম্ন বেধের মধ্যে পার্থক্য। এই পরামিতিটি একটি গুরুত্বপূর্ণ সূচক যা সিলিকন ওয়েফার বেধের অভিন্নতা পরিমাপ করতে ব্যবহৃত হয়। সেমিকন্ডাক্টর উৎপাদনে, একটি সিলিকন ওয়েফারের বেধ সমগ্র পৃষ্ঠ জুড়ে খুব অভিন্ন হতে হবে। এটি সাধারণত সিলিকন ওয়েফারের পাঁচটি স্থানে পরিমাপ করা হয় এবং সর্বাধিক পার্থক্য গণনা করা হয়। শেষ পর্যন্ত, এই মানটি সিলিকন ওয়েফারের গুণমান বিচার করার ভিত্তি। ব্যবহারিক প্রয়োগে, একটি 4-ইঞ্চি সিলিকন ওয়েফারের TTV সাধারণত 2um-এর কম হয় এবং একটি 6-ইঞ্চি সিলিকন ওয়েফার সাধারণত 3um-এর কম হয়৷
নম
নম সেমিকন্ডাক্টর উত্পাদনে একটি সিলিকন ওয়েফারের বক্রতাকে বোঝায়। শব্দটি একটি ধনুকের বাঁকা আকৃতির মতো বাঁকানোর সময় একটি বস্তুর আকৃতির বর্ণনা থেকে আসতে পারে। সিলিকন ওয়েফারের কেন্দ্র এবং প্রান্তের মধ্যে সর্বাধিক বিচ্যুতি পরিমাপ করে বো-এর মান নির্ধারণ করা হয়। এই মানটি সাধারণত মাইক্রোনে (µm) প্রকাশ করা হয়। 4-ইঞ্চি সিলিকন ওয়েফারের সেমি স্ট্যান্ডার্ড হল বো<40um.
ওয়ার্প
ওয়ার্প হল সিলিকন ওয়েফারের একটি বৈশ্বিক বৈশিষ্ট্য, যা সমতল থেকে সিলিকন ওয়েফার পৃষ্ঠের সর্বাধিক বিচ্যুতি নির্দেশ করে। এটি সিলিকন ওয়েফারের সর্বোচ্চ এবং সিলিকন ওয়েফারের সর্বনিম্ন বিন্দুর মধ্যে দূরত্ব পরিমাপ করে। 4-ইঞ্চি সিলিকন ওয়েফারের সেমি স্ট্যান্ডার্ড হল Warp <40um।
TTV, Bow এবং Warp এর মধ্যে পার্থক্য কি?
TTV পুরুত্বের পরিবর্তনের উপর ফোকাস করে এবং ওয়েফারের নম বা মোচড়ের দিকে খেয়াল রাখে না।
ধনুক সামগ্রিক ধনুকের উপর ফোকাস করে, প্রধানত কেন্দ্র বিন্দু এবং প্রান্তের মধ্যবর্তী ধনুক বিবেচনা করে।
ওয়ার্প পুরো ওয়েফার পৃষ্ঠের নম এবং মোচড় সহ আরও ব্যাপক।
যদিও এই তিনটি পরামিতি সিলিকন ওয়েফারের আকৃতি এবং জ্যামিতিক বৈশিষ্ট্যের সাথে সম্পর্কিত, তারা বিভিন্ন দিক পরিমাপ করে এবং বর্ণনা করে এবং সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়া এবং ওয়েফার পরিচালনার উপর বিভিন্ন প্রভাব ফেলে।
সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়ার উপর TTV, বো, এবং ওয়ার্পের প্রভাব
প্রথমত, তিনটি প্যারামিটার যত ছোট হবে তত ভালো। TTV, Bow এবং Warp যত বড়, সেমিকন্ডাক্টর প্রক্রিয়ার উপর নেতিবাচক প্রভাব তত বেশি। অতএব, যদি তিনটির মান মান অতিক্রম করে, সিলিকন ওয়েফার স্ক্র্যাপ করা হবে।
ফটোলিথোগ্রাফি প্রক্রিয়ার উপর প্রভাব:
ফোকাসের গভীরতা সমস্যা: ফটোলিথোগ্রাফি প্রক্রিয়া চলাকালীন, এটি ফোকাসের গভীরতায় পরিবর্তন ঘটাতে পারে, প্যাটার্নের স্বচ্ছতাকে প্রভাবিত করে।
প্রান্তিককরণ সমস্যা: এটি প্রান্তিককরণ প্রক্রিয়ার সময় ওয়েফারকে স্থানান্তরিত করতে পারে, স্তরগুলির মধ্যে প্রান্তিককরণের সঠিকতাকে আরও প্রভাবিত করে।
রাসায়নিক যান্ত্রিক পলিশিং এর উপর প্রভাব:
অসম পলিশিং: এটি সিএমপি প্রক্রিয়া চলাকালীন অসম পলিশিং হতে পারে, যার ফলে পৃষ্ঠের রুক্ষতা এবং অবশিষ্ট স্ট্রেস হতে পারে।
পাতলা ফিল্ম জমার উপর প্রভাব:
অসম জমা: অবতল এবং উত্তল ওয়েফারগুলি জমার সময় জমা হওয়া ফিল্মের অসম পুরুত্বের কারণ হতে পারে।
ওয়েফার লোডিং এর উপর প্রভাব:
লোডিং সমস্যা: অবতল এবং উত্তল ওয়েফারগুলি স্বয়ংক্রিয় লোডিংয়ের সময় ওয়েফারের ক্ষতি করতে পারে