প্রথম প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর?
প্রতিনিধি উপকরণ: সিলিকন (Si), জার্মেনিয়াম (Ge)। জার্মেনিয়ামের অসুবিধা: দুর্বল তাপীয় স্থিতিশীলতা। জার্মেনিয়াম ট্রানজিস্টর 1948 সালে আবির্ভূত হয়। 1950 থেকে 1970 এর দশকের প্রথম দিকে, জার্মেনিয়াম ট্রানজিস্টর দ্রুত বিকাশ লাভ করে। এরপর ধীরে ধীরে উন্নত দেশগুলো থেকে বিলুপ্ত হতে থাকে। 1980 সালের মধ্যে, উচ্চ-বিশুদ্ধ সিলিকনের উত্পাদন প্রক্রিয়া ধীরে ধীরে পরিপক্ক হওয়ার সাথে সাথে, তারা প্রায় সম্পূর্ণ বিশ্বব্যাপী সিলিকন ট্রানজিস্টর দ্বারা প্রতিস্থাপিত হয়েছিল।
দ্বিতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর?
প্রতিনিধি উপকরণ: গ্যালিয়াম আর্সেনাইড (GaAs), ইন্ডিয়াম ফসফাইড (InP)।
সুবিধাদি:
1. উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা;
2. ডাইরেক্ট ব্যান্ড গ্যাপ, অপটোইলেক্ট্রনিক অ্যাপ্লিকেশনে খুব দক্ষ, কারণ ইলেকট্রন সরাসরি লাফ দিতে পারে এবং একই সময়ে ফোটন ছেড়ে দিতে পারে, যেমন LED এবং লেজার।
তৃতীয় প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর?
প্রতিনিধি উপকরণ:সিলিকন কার্বাইড (SiC), গ্যালিয়াম নাইট্রাইড (GaN), জিঙ্ক সেলেনাইড (ZnSe)।
সুবিধাদি: প্রশস্ত ব্যান্ডগ্যাপ, উচ্চ ব্রেকডাউন ভোল্টেজ এবং উচ্চ তাপ পরিবাহিতা। উচ্চ তাপমাত্রা, উচ্চ শক্তি এবং উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি অ্যাপ্লিকেশনের জন্য উপযুক্ত।
চতুর্থ প্রজন্মের সেমিকন্ডাক্টর?
প্রতিনিধি উপকরণ:
গ্যালিয়াম অক্সাইড (Ga2O3), ডায়মন্ড (C), অ্যালুমিনিয়াম নাইট্রাইড (AlN) এবং বোরন নাইট্রাইড (BN), ইত্যাদি সুবিধা: আল্ট্রা-ওয়াইড ব্যান্ডগ্যাপ; উচ্চ ভাঙ্গন ভোল্টেজ; উচ্চ বাহক গতিশীলতা, ইত্যাদি
অসুবিধা:
কঠিন উপাদান বৃদ্ধি এবং প্রস্তুতি; অপরিপক্ক উত্পাদন প্রক্রিয়া, অনেক মূল প্রযুক্তি এখনও সম্পূর্ণরূপে ভাঙ্গা হয়নি।
