জোন ফিউজড সিলিকন একক ক্রিস্টাল ওয়েফার কি?

আল্ট্রা-হাই রেজিস্ট্যান্স জোন ফিউজড সিলিকন সিঙ্গেল ক্রিস্টাল (FZ-সিলিকন)
কম অপরিষ্কার সামগ্রী সহ সিলিকন একক ক্রিস্টাল, কম ত্রুটির ঘনত্ব এবং জোন গলে যাওয়া প্রক্রিয়া দ্বারা আঁকা নিখুঁত জালি কাঠামো, স্ফটিক বৃদ্ধির প্রক্রিয়া চলাকালীন কোন অমেধ্য প্রবর্তিত হয় না এবং এর প্রতিরোধ ক্ষমতা সাধারণত 1000Ω?cm এর উপরে হয়, প্রধানত উচ্চ ব্যাক প্রেসার ডিভাইস তৈরি করতে ব্যবহৃত হয় এবং অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস।
নিউট্রন বিকিরণ অঞ্চলে ফিউজড সিলিকন একক স্ফটিক (NTDFZ-সিলিকন)
জোন-গলিত সিলিকন একক স্ফটিকগুলি নিউট্রন বিকিরণের মাধ্যমে উচ্চ প্রতিরোধক অভিন্নতা সহ সিলিকন একক স্ফটিক পেতে পারে, যা ডিভাইস উত্পাদনের ফলন এবং ধারাবাহিকতা নিশ্চিত করে। প্রধানত সিলিকন রেকটিফায়ার (এসআর), থাইরিস্টরস (এসসিআর), জায়ান্ট ট্রানজিস্টর (জিটিআর), থাইরিস্টরস (জিআরও), স্ট্যাটিক ইন্ডাকশন থাইরিস্টরস (এসআইটিএইচ), ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (আইজিবিটি), আল্ট্রা-হাই ভোল্টেজ ডায়োড (পিন) উৎপাদনে ব্যবহৃত হয়। ), স্মার্ট পাওয়ার ডিভাইস (স্মার্ট পাওয়ার), পাওয়ার ইন্টিগ্রেটেড ডিভাইস (পাওয়ার আইসি) ইত্যাদি হল বিভিন্ন ফ্রিকোয়েন্সি কনভার্টার, রেকটিফায়ার, হাই-পাওয়ার কন্ট্রোল ডিভাইস এবং নতুন পাওয়ার ইলেকট্রনিক ডিভাইসের প্রধান কার্যকরী উপকরণ। ডিটেক্টর, সেন্সর, অপটোইলেক্ট্রনিক ডিভাইস এবং বিশেষ পাওয়ার ডিভাইসের জন্য প্রধান কার্যকরী উপকরণ ইত্যাদি।
গ্যাস ফেজ ডোপড জোন ফিউজড সিলিকন সিঙ্গেল ক্রিস্টাল (GDFZ-সিলিকন)
অমেধ্যের বিচ্ছুরণ প্রক্রিয়া ব্যবহার করে, জোন গলানোর প্রক্রিয়ার মাধ্যমে সিলিকন একক স্ফটিক আঁকার প্রক্রিয়ায় গ্যাসীয় অমেধ্য যোগ করা হয়, যা মৌলিকভাবে জোন গলানোর প্রক্রিয়ায় কঠিন ডোপিংয়ের সমস্যা সমাধান করে এবং এন-টাইপ বা পি-টাইপ, প্রতিরোধ ক্ষমতা সীমা পেতে পারে। 0৷{3}}Ω.cm, গ্যাস-ডোপড সিলিকন একক ক্রিস্টাল যার প্রতিরোধ ক্ষমতা নিউট্রন বিকিরণ এর সমতুল্য, এর প্রতিরোধ ক্ষমতা বিভিন্ন সেমিকন্ডাক্টর পাওয়ার ডিভাইস, ইনসুলেটেড গেট বাইপোলার ট্রানজিস্টর (IGBT), উচ্চ-দক্ষ সৌর কোষ, ইত্যাদি
Czochralski জোন ফিউজড সিলিকন একক ক্রিস্টাল (CFZ-সিলিকন)
সিলিকন একক স্ফটিক দুটি Czochralski এবং জোন গলানোর প্রক্রিয়ার সংমিশ্রণ দ্বারা আঁকা হয়, এবং পণ্যের গুণমান Czochralski এবং জোন গলানোর একক ক্রিস্টালের মধ্যে। বিশেষ উপাদান যেমন গ্যালিয়াম (Ga), জার্মেনিয়াম (Ge) ইত্যাদি ডোপ করা যেতে পারে। CFZ সোলার সিলিকন ওয়েফারের নতুন প্রজন্মের Czochralski জোন গলানোর পদ্ধতি দ্বারা প্রস্তুত করা হয়েছে যা বর্তমানে বিশ্বব্যাপী ফটোভোলটাইক শিল্পে ব্যবহৃত সব ধরনের সিলিকন ওয়েফারের থেকে অনেক বেশি উচ্চতর, এবং সৌর কোষের রূপান্তর দক্ষতা 24-26% পর্যন্ত। পণ্যগুলি প্রধানত বিশেষ কাঠামো, ব্যাক কন্টাক্ট, এইচআইটি এবং অন্যান্য বিশেষ প্রক্রিয়া দিয়ে তৈরি উচ্চ-দক্ষ সৌর কোষগুলিতে ব্যবহৃত হয় এবং এলইডি, পাওয়ার ডিভাইস, অটোমোবাইল এবং স্যাটেলাইটের মতো অনেক পণ্য এবং ক্ষেত্রে আরও ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়।