বিবরণ

প্রযুক্তিগত পরামিতি

পণ্যের বর্ণনা

SiC ডামি ওয়েফার একটি উচ্চ-মানের পণ্য যা সেমিকন্ডাক্টর শিল্পে ব্যাপকভাবে ব্যবহৃত হয়। এটি একটি সিলিকন কার্বাইড ওয়েফার যা সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলি পরীক্ষা এবং ডিবাগ করার জন্য বিশেষভাবে ডিজাইন করা হয়েছে। SiC ডামি ওয়েফার সেমিকন্ডাক্টর নির্মাতাদের জন্য একটি গুরুত্বপূর্ণ হাতিয়ার, কারণ এটি তাদের পণ্যের গুণমান এবং অখণ্ডতা নিশ্চিত করতে সহায়তা করে।

SiC ডামি ওয়েফারের অন্যতম প্রধান সুবিধা হল এর উচ্চ বিশুদ্ধতা এবং অভিন্নতা। এটি নিশ্চিত করে যে এটি সেমিকন্ডাক্টর ডিভাইসগুলি পরীক্ষা এবং ডিবাগ করার ক্ষেত্রে সঠিক এবং নির্ভরযোগ্য ফলাফল প্রদান করে। ওয়েফারটি অত্যন্ত টেকসই এবং ক্ষতি প্রতিরোধী, এটি কঠোর অপারেটিং পরিবেশে ব্যবহারের জন্য একটি আদর্শ পছন্দ করে তোলে।

SiC ডামি ওয়েফারের আরেকটি সুবিধা হল এর বহুমুখীতা। এটি পাওয়ার ডিভাইস, আরএফ ডিভাইস এবং অপটোইলেক্ট্রনিক্স সহ অর্ধপরিবাহী অ্যাপ্লিকেশনগুলির একটি বিস্তৃত পরিসরে ব্যবহার করা যেতে পারে। এটি অর্ধপরিবাহী নির্মাতাদের জন্য একটি মূল্যবান হাতিয়ার করে তোলে যাদের বিভিন্ন ডিভাইস পরীক্ষা করতে হবে।

4H N-TYPE SiC 100MM, 350μm ওয়েফার স্পেসিফিকেশন
অনুচ্ছেদ সংখ্যা	W4H100N-4-PO (বা CO)-350
বর্ণনা	4H SiC সাবস্ট্রেট
পলিটাইপ	4H
ব্যাস	(100+0।{1}}.5) মিমি
পুরুত্ব	(350±25) μm (ইঞ্জিনিয়ারিং গ্রেড ±50μm)
ক্যারিয়ার টাইপ	n-টাইপ
ডোপান্ট	নাইট্রোজেন
প্রতিরোধ ক্ষমতা (RT)	0৷{1}}.025Ω▪সেমি (ইঞ্জিনিয়ারিং গ্রেড<0.025Ω▪cm)
ওয়েফার ওরিয়েন্টেশন	(4+0.5) ডিগ্রি
	ইঞ্জিনিয়ারিং গ্রেড	উৎপাদন গ্রেড	উৎপাদন গ্রেড
	2.1	2.2	2.3
মাইক্রোপাইপ ঘনত্ব	30cm-² এর চেয়ে কম বা সমান	10cm-² এর চেয়ে কম বা সমান	1cm-² এর চেয়ে কম বা সমান
মাইক্রোপাইপ মুক্ত এলাকা	উল্লিখিত না	96% এর চেয়ে বড় বা সমান	96% এর চেয়ে বড় বা সমান
ওরিয়েন্টেশন সমতল (OF)
ওরিয়েন্টেশন	সমান্তরাল {1-100} ±5 ডিগ্রি
অভিযোজন সমতল দৈর্ঘ্য	(32.5±2।{3}}) মিমি
সনাক্তকরণ ফ্ল্যাট (IF)
ওরিয়েন্টেশন	সাই-ফেস: 90 ডিগ্রী cw, ওরিয়েন্টেশন ফ্ল্যাট থেকে ±5 ডিগ্রী
ldentification সমতল দৈর্ঘ্য	(১৮৷{1}}৷{2}}) মিমি৷
পৃষ্ঠতল	বিকল্প1: সি-ফেস স্ট্যান্ডার্ড পলিশ এপি-রেডি সি-ফেস অপটিক্যাল পলিশ
	বিকল্প 2: সি-ফেস সিএমপি ইপি-রেডি, সি-ফেস অপটিক্যাল পলিশ
প্যাকেজ	একাধিক ওয়েফার (25) শিপিং বক্স
	(অনুরোধের ভিত্তিতে একক ওয়েফার প্যাকেজ)

6H N-টাইপ SIC, 2"ওয়াফার স্পেসিফিকেশন
অনুচ্ছেদ সংখ্যা	W6H51N-0-PM-250-S
বর্ণনা	উৎপাদন গ্রেড 6H SiC সাবস্ট্রেট
পলিটাইপ	6H
ব্যাস	(50.8±38) মিমি
পুরুত্ব	(250±25) উম
ক্যারিয়ার টাইপ	n-টাইপ
ডোপান্ট	নাইট্রোজেন
প্রতিরোধ ক্ষমতা (RT)	0৷{1}}.10Ω▪সেমি
ওয়েফার ওরিয়েন্টেশন	(0+0.5) ডিগ্রি
মাইক্রোপাইপ ঘনত্ব	100cm-² এর চেয়ে কম বা সমান
অভিযোজন সমতল অভিযোজন	সমান্তরাল {1-100} ±5 ডিগ্রি
অভিযোজন সমতল দৈর্ঘ্য	(15.88±1.65) মিমি
শনাক্তকরণ সমতল অভিযোজন	সাই-ফেস: 90 ডিগ্রি cw। ভ্রু অভিযোজন সমতল ±5 ডিগ্রী
ldentification সমতল দৈর্ঘ্য	(8+1.65) মিমি
পৃষ্ঠতল	সাই-ফেস স্ট্যান্ডার্ড পলিশ এপি-রেডি
পৃষ্ঠতল	সি-মুখ ম্যাটেড
প্যাকেজ	প্যাকেজ একক ওয়েফার প্যাকেজ বা একাধিক ওয়েফার শিপিং বক্স

পণ্যের ছবি

SiC GaN Wafer

কেন আমাদের নির্বাচন করেছে

আমাদের পণ্যগুলি বিশ্বের শীর্ষ পাঁচটি নির্মাতা এবং নেতৃস্থানীয় দেশীয় কারখানা থেকে একচেটিয়াভাবে সংগ্রহ করা হয়। অত্যন্ত দক্ষ দেশীয় এবং আন্তর্জাতিক প্রযুক্তিগত দল এবং কঠোর মান নিয়ন্ত্রণ ব্যবস্থা দ্বারা সমর্থিত।

আমাদের উদ্দেশ্য হল গ্রাহকদের ব্যাপক একের পর এক সহায়তা প্রদান করা, যোগাযোগের মসৃণ চ্যানেলগুলি নিশ্চিত করা যা পেশাদার, সময়োপযোগী এবং দক্ষ। আমরা কম ন্যূনতম অর্ডারের পরিমাণ অফার করি এবং 24 ঘন্টার মধ্যে দ্রুত ডেলিভারির গ্যারান্টি দিই।

ফ্যাক্টরি শো

আমাদের বিশাল ইনভেন্টরিতে রয়েছে 1000+টি পণ্য, নিশ্চিত করে যে গ্রাহকরা এক টুকরোর জন্য অর্ডার দিতে পারেন। ডাইসিং এবং ব্যাকগ্রাইন্ডিংয়ের জন্য আমাদের স্ব-মালিকানাধীন সরঞ্জাম এবং বিশ্বব্যাপী শিল্প শৃঙ্খলে পূর্ণ সহযোগিতা গ্রাহকের এক-স্টপ সন্তুষ্টি এবং সুবিধা নিশ্চিত করতে আমাদের দ্রুত চালান সক্ষম করে।

আমাদের সার্টিফিকেট

আমাদের পেটেন্ট সার্টিফিকেট, ISO9001 সার্টিফিকেট, এবং ন্যাশনাল হাই-টেক এন্টারপ্রাইজ সার্টিফিকেট সহ আমরা যে বিভিন্ন সার্টিফিকেশন অর্জন করেছি তাতে আমাদের কোম্পানি গর্বিত। এই শংসাপত্রগুলি উদ্ভাবনের প্রতি আমাদের উত্সর্গ, গুণমান ব্যবস্থাপনা, এবং শ্রেষ্ঠত্বের প্রতিশ্রুতির প্রতিনিধিত্ব করে।