সিলিকন ওয়েফার প্রস্তুতির প্রক্রিয়া

সিলিকন ওয়েফার তৈরির প্রক্রিয়ায় প্রধানত নিম্নলিখিত পদক্ষেপগুলি অন্তর্ভুক্ত থাকে:
সিলিকন গলানো: প্রথমত, অত্যন্ত উচ্চ-বিশুদ্ধতার সিলিকন উচ্চ তাপমাত্রায় গলিয়ে সিলিকন তরল তৈরি করে।
একক স্ফটিক বৃদ্ধি: তারপর, গলিত সিলিকন তরল সেমিকন্ডাক্টর প্রযুক্তি যেমন Czochralski পদ্ধতি বা জোন গলানোর পদ্ধতি দ্বারা একক ক্রিস্টাল সিলিকনে উত্থিত হয়।
সিলিকন ইনগট কাটিং: বড় হওয়া মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন প্রায় 0 5-1মিমি পুরু সহ সিলিকন ওয়েফারে কাটা হয়।
মসৃণকরণ: অবশেষে, সিলিকন ওয়েফারগুলি একটি মসৃণ পৃষ্ঠ পাওয়ার জন্য একটি নির্ভুল পলিশিং প্রক্রিয়ার মধ্য দিয়ে যায় যা ইলেকট্রনিক গ্রেড অ্যাপ্লিকেশনগুলির চাহিদা পূরণ করে।