কোম্পানি গ্রাহকদের বিভিন্ন স্পেসিফিকেশন এবং উচ্চ-মানের SOI সিলিকন ওয়েফার (সিলিকন অন ইনসুলেটর-সিলিকন অন ইনসুলেটর) প্রদান করতে পারে, যা MEMS, পাওয়ার ডিভাইস, প্রেসার সেন্সর এবং CMOS ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট ম্যানুফ্যাকচারিং সহ বিস্তৃত অ্যাপ্লিকেশনের গ্রাহকদের জন্য উপযুক্ত। SOI ওয়েফারগুলি উচ্চ-গতি এবং কম-পাওয়ার ডিভাইসগুলির জন্য একটি ভাল সমাধান প্রদান করে এবং ব্যাপকভাবে উচ্চ-ভোল্টেজ এবং RF ডিভাইসগুলির জন্য একটি নতুন সমাধান হিসাবে বিবেচিত হয়। SOI ওয়েফার হল একটি স্যান্ডউইচের মতো স্যান্ডউইচ গঠন যার তিনটি স্তর রয়েছে; উপরের স্তর (ডিভাইস স্তর), মাঝের সমাহিত অক্সাইড স্তর (SIO2 স্তর অন্তরক) এবং নীচের স্তর (বাল্ক সিলিকন) সহ। SOI ওয়েফারগুলি SIMOX পদ্ধতি এবং ওয়েফার বন্ধন প্রযুক্তি ব্যবহার করে উত্পাদিত হয়, যাতে পাতলা এবং আরও সুনির্দিষ্ট ডিভাইস স্তর, অভিন্ন বেধ এবং কম ত্রুটির ঘনত্ব অর্জন করা যায়।
SOI সিলিকন ওয়েফারের প্রাথমিক ভূমিকা
Jul 08, 2023একটি বার্তা রেখে যান