গ্যালিয়াম আর্সেনাইডের পণ্য পরিচিতি এবং প্রয়োগ

গ্যালিয়াম আর্সেনাইড, রাসায়নিক সূত্র GaAs সহ, ​​একটি গ্রুপ III-V যৌগিক অর্ধপরিবাহী। এটি আর্সেনিক এবং গ্যালিয়াম দ্বারা গঠিত। এটি একটি উজ্জ্বল ধূসর চেহারা, একটি ধাতব দীপ্তি এবং ভঙ্গুর এবং শক্ত। উচ্চ ফ্রিকোয়েন্সি, উচ্চ ইলেক্ট্রন গতিশীলতা, উচ্চ আউটপুট শক্তি, কম শব্দ এবং ভাল রৈখিকতার মতো উচ্চতর বৈশিষ্ট্য সহ যৌগিক সেমিকন্ডাক্টর উপকরণগুলি অপটোইলেক্ট্রনিক্স এবং মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স শিল্পের জন্য সবচেয়ে গুরুত্বপূর্ণ সহায়ক উপকরণগুলির মধ্যে একটি।
অপটোইলেক্ট্রনিক্স শিল্পে প্রয়োগ স্তরে, GaAs একক ক্রিস্টালগুলি LDs (লেজার), LEDs (আলো-নির্গত ডায়োড), অপটোইলেক্ট্রনিক ইন্টিগ্রেটেড সার্কিট (OEICs) এবং ফটোভোলটাইক ডিভাইসগুলি তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে।
মাইক্রোইলেক্ট্রনিক্স শিল্পে অ্যাপ্লিকেশন স্তরে, এটি MESFET (মেটাল সেমিকন্ডাক্টর ফিল্ড ইফেক্ট ট্রানজিস্টর), HEMT (হাই ইলেক্ট্রন মোবিলিটি ট্রানজিস্টর), এইচবিটি (হেটেরোজেকশন বাইপোলার ট্রানজিস্টর), আইসি, মাইক্রোওয়েভ ডায়োড, হল ডিভাইস ইত্যাদি তৈরি করতে ব্যবহার করা যেতে পারে।
এতে প্রধানত হাই-এন্ড মিলিটারি ইলেকট্রনিক অ্যাপ্লিকেশন, অপটিক্যাল ফাইবার কমিউনিকেশন সিস্টেম, ব্রডব্যান্ড স্যাটেলাইট ওয়্যারলেস কমিউনিকেশন সিস্টেম, টেস্ট ইন্সট্রুমেন্ট, স্বয়ংচালিত ইলেকট্রনিক্স, লেজার, আলো এবং অন্যান্য ক্ষেত্র জড়িত। একটি গুরুত্বপূর্ণ সেমিকন্ডাক্টর উপাদান হিসাবে, GaAs এর ইলেক্ট্রন গতিশীলতা সিলিকন এবং গ্যালিয়াম নাইট্রাইডের পাঁচগুণ। এটি কম পাওয়ার লস সহ ছোট এবং মাঝারি শক্তির মাইক্রোওয়েভ ডিভাইসগুলিতে ব্যবহৃত হয়। অতএব, এটি মোবাইল ফোন যোগাযোগ, লোকাল এরিয়া ওয়্যারলেস নেটওয়ার্ক, জিপিএস এবং স্বয়ংচালিত রাডারে ব্যবহৃত হয়। প্রভাবশালী মধ্যে