একটি একক ক্রিস্টাল সিলিকন ওয়েফারের গঠন

যখন গলিত মৌলিক সিলিকন দৃঢ় হয়, তখন সিলিকন পরমাণুগুলিকে ত্রিমাত্রিক দীর্ঘ-পরিসরের ক্রমে একটি হীরার জালিতে সাজানো হয় যাতে একক স্ফটিক সিলিকন হয়ে যায়। একক ক্রিস্টাল সিলিকনে মেটালয়েডের ভৌত বৈশিষ্ট্য রয়েছে এবং এর পরিবাহিতা দুর্বল। তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে সাথে এর পরিবাহিতা বৃদ্ধি পায় এবং এর উল্লেখযোগ্য অর্ধপরিবাহিতা রয়েছে। আল্ট্রাপিউর একক ক্রিস্টাল সিলিকন একটি অন্তর্নিহিত অর্ধপরিবাহী। অতি-বিশুদ্ধ একক ক্রিস্টাল সিলিকনে অল্প পরিমাণ গ্রুপ IIIA উপাদান যেমন বোরনের ডোপিং এর বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা বাড়াতে পারে এবং একটি পি-টাইপ সিলিকন সেমিকন্ডাক্টর তৈরি করতে পারে; যদি ফসফরাস বা আর্সেনিকের মতো অল্প পরিমাণে গ্রুপ VA উপাদানের ডোপিংও বৈদ্যুতিক পরিবাহিতা বৃদ্ধি করতে পারে। একটি এন-টাইপ সিলিকন সেমিকন্ডাক্টর গঠিত হয়। একক ক্রিস্টাল সিলিকন তৈরির পদ্ধতি হল প্রথমে পলিক্রিস্টালাইন সিলিকন বা নিরাকার সিলিকন তৈরি করা এবং তারপর গলিত থেকে রড-আকৃতির একক ক্রিস্টাল সিলিকন বাড়াতে Czochralski পদ্ধতি বা সাসপেনশন জোন মেল্টিং পদ্ধতি ব্যবহার করা হয়। মনোক্রিস্টালাইন সিলিকন প্রধানত সেমিকন্ডাক্টর উপাদান তৈরি করতে ব্যবহৃত হয়। সিলিকন স্ফটিক সিলিকন গাঢ় নীল, খুব ভঙ্গুর, এবং একটি সাধারণ অর্ধপরিবাহী। রাসায়নিক বৈশিষ্ট্য খুব স্থিতিশীল। ঘরের তাপমাত্রায়, হাইড্রোজেন ফ্লোরাইড ছাড়া অন্যান্য পদার্থের সাথে বিক্রিয়া করা কঠিন।